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日本ファインセラミックス株式会社

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薄膜集成电路部品（MIC）

从微波用高品质氧化铝基板制作，至薄膜电路形成，采用一站式生产。
样品制作及量产均可对应，供应低价格、短交期的高品质产品。

通孔&城堡型结构

ｽﾙｰﾎｰﾙ、ｷｬｽﾀﾚｰｼｮﾝ(C).PNG

通孔：通过对孔的内壁进行金属化加工，实现基板正反面的导通。
城堡形结构：通过对基板侧面的半圆形通孔进行金属化加工，实现基板正反面的导通。

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  • 通孔径： Φ0.1mm～φ4mm
  • 位置精度： ±0.02mm

薄膜电容器

薄膜ｷｬﾊﾟｼﾀ(C).PNG

具有小介电损耗的电介质（绝缘体）被夹在作为电极的导体（上电极、下电极）之间。此种结构的电介质可以用来存储电能。

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  • 介电质材质
    SiO2(εr 4.2)
  • 静电容量
    标准规格：103.4pF/mm2（介电质膜厚 0.384μm）
  • 介电质的最小尺寸
    0.1mm×0.1mm（决定电容大小的电极面积比介电质面积小）
  • 耐电压
    30V以下（DC）

兰格耦合器

ﾗﾝｹﾞｶﾌﾟﾗ(C).PNG

可以对高频信号进行分配。我司提供的兰格耦合器，可制作最小线宽20 μm，最小线距15μm的电路。通过和桥架结构的组合，可实现最短距离的连接配线。

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  • 膜构成
    1. Ti/Pd/Au
    2. Ti/Pt/Au
    3. Ti/Pd/Cu/Ni/Au
  • 最小线宽／线距
    膜构成 1、2的情况 20μm / 15μm以上
    膜构成 3的情况 30μm / 20μm以上
  • 回路精度
    膜构成 1、2的情况 ±5μm（镀Au厚3μm时）
    膜构成 3的情况 ±5μm（镀Au厚1.5μm时）

桥架结构

ｴｱﾌﾞﾘｯｼﾞ2(C).PNG

采用我司的独家技术，可通过桥架结构实现电极线之间的接合，无需引线键合。
通过最短的连接距离可降低电感值。

薄膜电阻

薄膜抵抗体(C).PNG

JFC的薄膜电阻材质使用耐环境性能优越的Ta2Nx（氮化钽）。
最小线宽为20μm。

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  • 电阻材质
    Ta2Nx
  • 薄膜电阻
    20Ω/□、50Ω/□、100Ω/□、130Ω/□
  • 电阻最小线宽
    20μm
  • 电阻温度特性
    -100±20ppm/℃
  • 电阻公差
    ±10％～（关于公差，请和我们协商）

侧边回路

ｻｲﾄﾞﾊﾟﾀｰﾝ(C).PNG

JFC可在侧边形成回路。
PD热沉、LD热沉等，可经由侧边回路连接 底面接地。

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  • 可对应的基板厚度
    0.3mm以上
  • 膜构成
    Ti/Pd/Au（3μm以上）
  • 侧边最小线宽（A）
    0.07mm±0.05mm
  • 侧边线距（B）
    0.08mm以上
  • 距基板边缘的距离（C）
    0.05mm以上（关于公差，请和我们协商）
  • 基板边缘开始的线长（D）
    0.2mm以上±0.1mm

薄膜电感

薄膜ｲﾝﾀﾞｸﾀ(C).PNG

电感器是可以用磁性形式存储电能的无源电子元件。通过和薄膜电容器的组合，可实现LC电路。

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  • 膜构成
    1. Ti/Pd/Au
    2. Ti/Pt/Au
    3. Ti/Pd/Cu/Ni/Au
  • 最小线宽／线距
    膜构成 1、2的情况 20μm / 15μm以上
    膜构成 3的情况 30μm / 20μm以上
  • 回路精度
    膜构成 1、2的情况 ±5μm(镀Au厚3μm时)
    膜构成 3的情况 ±5μm(镀Au厚1.5μm时)

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