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JFCが提供する高周波ソリューション

Beyond 5G(6G)で利用されるミリ波・テラヘルツ波領域では、低損失な基板特性や微細パターニング技術が求められます。長年培ってきた低誘電損失セラミックスの製造技術と、高精度なパターニング技術により、シミュレーションの再現性が高い高周波回路基板を提供致します。

高周波ソリューション_イメージ図2trim_高輝度.jpg

サービス

ご好評頂いております高周波回路基板に加えて、高周波でのシミュレーションや測定が出来るようになりました。
皆様のデバイス開発に我々が力になれることはないでしょうか?
「こんな受動部品が欲しい!」 等のリクエストやご質問等、何でもご相談ください。

基板材料

比誘電率は低誘電率から高誘電率まで、幅広い材料ラインナップがございます。
誘電正接も小さく、中でも99.9%アルミナは数十GHz帯で10-5台と非常に低損失な材料です。

基板名 99.9%アルミナ 合成溶融石英 AlN 高誘電体基板
比誘電率 10 3.8 8.8 38 86 117
誘電正接 2×10-5 1×10-4 5×10-4 3.3×10-4 2×10-3 2×10-3
熱伝導率 33 1.4 170 / 200 / 230 1.6 - -
線膨張係数 [1/K] 8x10-6 0.5x10-6 4.6x10-6 7~8x10-6 - -
表面粗さRa [μm] ≦0.02 ≦0.02 ≦0.05 ≦0.03 ≦0.03 ≦0.03
厚み [mm] 0.1~0.38 0.1~0.38 0.1~0.38 0.1~0.38 0.1~0.38 0.1~0.38

加工技術

高周波になるほど、配線パターンは微細に、基板は薄く、より高精度な加工技術が要求されます。
下表の最小ライン幅/スペース幅で微細なパターン形成が可能です。精度は±5um以下で対応致します。
基板厚みは0.1mm程度まで薄く、また高周波向けに基板表面の鏡面研磨も可能です。

膜構成 最小ライン幅 / スペース パターン精度
Ti/Pd/Au 20μm / 15μm以上 ±5μm (Auメッキ厚3μm時)
Ti/Pt/Au 20μm / 15μm以上 ±5μm (Auメッキ厚3μm時)
Ti/Pd/Cu/Ni/Au 30μm / 20μm以上 ±5μm (Auメッキ厚1.5μm時)

設計・評価技術

これから5Gで使用される26GHzや40GHz帯での設計・評価の実績がございます。
Beyond 5G (6G) では100GHz以上、更に高いテラヘルツ波が利用されます。材料技術、加工技術、シミュレーション技術、測定技術を用いて、この帯域においても、お客様が求める低損失なデバイスを提供致します。

設計評価設備

<シミュレータ>

●回路シミュレータ : ADS (Keysight)

●電磁界シミュレータ: CST Studio Suite (Dassault Systèmes)

<評価設備>

●ベクトルネットワークアナライザ ~110GHz

●スペクトラムアナライザ  ~67GHz

コンタクト

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