薄膜集積回路部品（MIC）
当社は、マイクロ波用高品位アルミナ基板の製作から薄膜パターン形成までの一貫生産を行い、試作品から量産品までの高品質の製品を低価格・短納期で提供いたします。
スルーホール＆キャスタレーション
スルーホール：貫通孔の内壁をメタライズすることで基板の表裏の導通が取れます。
キャスタレーション：基板側面に半円のスルーホール形状を加工しメタライズすることで基板の表裏の導通が取れます。
詳細
- スルーホール径：Φ0.1～Φ4
- 位置精度：±0.02mm
薄膜キャパシタ
誘電損失の小さい誘電体（絶縁物）が、電極になる導体（上部電極・下部電極）に、はさまれた構造になってます。この誘電体が電気を蓄えるはたらきをします。
詳細
- 誘電体材質
SiO2(εr 4.2) - 静電容量
標準仕様：103.4pF/mm2（誘電体膜厚 0.384μm） - 誘電体の最小寸法
0.1mm×0.1mm（容量値を決める電極面積は誘電体面積より小さくなります） - 耐電圧
30V以下（DC）
ランゲカプラ
高周波信号を分配することができます。当社のランゲカプラなら、ライン（20μm）、スペース（15μm）で製作できます。「エアブリッジ」を組み合わせることで最短距離で配線をつなげることも可能です。
詳細
- 膜構成
- Ti/Pd/Au
- Ti/Pt/Au
- Ti/Pd/Cu/Ni/Au
- 最小ライン幅／スペース
膜構成 1、2の場合 20μm / 15μm以上 膜構成 3の場合 30μm / 20μm以上 - パターン精度
膜構成 1、2の場合 ±5μm（Auメッキ厚3μm時） 膜構成 3の場合 ±5μm（Auメッキ厚1.5μm時）
エアブリッジ
当社独自の技術を用いたエアブリッジを使えば、ワイヤボンディングの必要がなく、最短の接続距離によりL成分を小さくすることができます。
薄膜抵抗体
当社は薄膜抵抗体の材質に耐環境性に優れたTa2Nxを使用しています。
最小線幅は20μmです。
詳細
- 抵抗体材質
Ta2Nx - シート抵抗値
20Ω/□、50Ω/□、100Ω/□、130Ω/□ - 抵抗最小線幅
20μm - 抵抗の温度特性
-100±20ppm/℃ - 抵抗公差
±10％～（公差についてはご相談下さい）
サイドパターン
当社では側面へのパターニングが可能です。PDサブマウント、LDサブマウントなどは側面を経由し裏面アースを行う目的から側面メタライズパターンが必要となります。
詳細
- 対応可能基板厚
0.3mm以上 - 膜構成
Ti/Pd/Au（3μm以上） - 側面最小パターン幅（A）
0.07mm±0.05mm - 側面パターン間距離（B）
0.08mm以上 - 基板端からの距離（C）
0.05mm以上（公差については､ご相談下さい） - 基板端からのパターン長さ（D）
0.2mm以上±0.1mm
薄膜インダクタ
インダクタ は電気エネルギーを磁気の形で蓄えることができる受動電子部品です。
薄膜キャパシタと組み合わせてＬＣ回路を実現することも可能です。
詳細
- 膜構成
- Ti/Pd/Au
- Ti/Pt/Au
- Ti/Pd/Cu/Ni/Au
- 最小ライン幅／スペース
膜構成1、2の場合 20μm / 15μm以上 膜構成3の場合 30μm / 20μm以上 - パターン精度
膜構成1、2の場合 ±5μm(Auメッキ厚3μm時) 膜構成3の場合 ±5μm(Auメッキ厚1.5μm時)
